特許
J-GLOBAL ID：200903091663458109
フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054774
公開番号（公開出願番号）：特開2003-255509
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月10日
要約：
【要約】【課題】 より精度の良い合否判断が可能となるフォトマスクの製造方法を提供すること。【解決手段】 フォトマスクにマスクパターンを作成し(ST.1)、作成されたマスクパターンの寸法を測定し(ST.2、ST.3)、寸法測定の結果に基づき、マスクパターンを被露光体に露光する際の露光裕度を求め、求められた露光裕度が所定の露光裕度を満たしているか否かを判断し、露光裕度を満たしているか否かの判断結果に基づき、フォトマスクの合否を判断するフォトマスクの製造方法であって、寸法測定は、マスクパターンのうち、このマスクパターンを被露光体に露光する際に露光裕度が小さくなるクリティカルパターン部の寸法測定を含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
フォトマスクにマスクパターンを作成し、前記作成されたマスクパターンの寸法を測定し、前記寸法測定の結果に基づき、前記マスクパターンを被露光体に露光する際の露光裕度を求め、前記求められた露光裕度が所定の露光裕度を満たしているか否かを判断し、前記露光裕度を満たしているか否かの判断結果に基づき、前記フォトマスクの合否を判断するフォトマスクの製造方法であって、前記寸法測定は、前記マスクパターンのうち、このマスクパターンを前記被露光体に露光する際に露光裕度が小さいクリティカルパターン部の寸法測定を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 1/08
, G03F 7/20 521
, H01L 21/027
G03F 1/08 A
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 P
2H095BA01
, 2H095BB02
, 2H095BB03
, 2H095BB36
, 2H095BD03
, 2H095BD26
, 2H095BD28
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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