特許
J-GLOBAL ID：200903091697562762
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-102952
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286812
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】高周波電力の他に直流電圧を印加する容量結合型のプラズマ処理装置を前提として、良好なプラズマを得ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】チャンバ10内に対向して配置される上部電極34および下部電極16との間に処理ガスのプラズマを形成してウエハWにプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置であって、上部電極34に高周波電力を供給してプラズマを形成するための高周波電源48と、上部電極34に直流電圧を印加する可変直流電源50と、高周波電源48および可変直流電源50を制御する制御部95とを具備し、制御部95は、高周波電源48からの給電を開始した時点またはそれ以降に、可変直流電源50からの印加電圧が設定値となるように制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理基板が収容され、真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に対向して配置される第1電極および第2電極と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記第1電極または第2電極に高周波電力を供給して前記処理ガスのプラズマを形成するための高周波電源と、
前記第1電極または第2電極に直流電圧を印加する直流電源と、
前記高周波電源および前記直流電源を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、前記高周波電源からの給電を開始した時点またはそれ以降に、前記直流電源からの印加電圧が設定値となるように制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L21/302 101B
, C23C16/50
, H01L21/205
, H05H1/46 M
4K030CA04
, 4K030CA06
, 4K030FA03
, 4K030KA30
, 4K030LA15
, 4K030LA18
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BB28
, 5F004BB29
, 5F004CA03
, 5F004CA07
, 5F045AA08
, 5F045EH05
, 5F045EH12
, 5F045EH19
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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