プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-251547
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095663
出願日： 2002年08月29日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】高周波電力が印加される電極に生じるアーク放電を抑制することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】被処理基板Gを収容するチャンバー2と、チャンバー2内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段19,26と、チャンバー2内に設けられ、被処理基板Gを載置する載置面を有するとともに、その側面に露出部分が存在する下部電極5と、下部電極5に高周波電力を印加する高周波電源26と、下部電極5に負の直流電圧を印加する直流電源27とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被処理基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記チャンバー内に設けられ、被処理基板を載置する載置面を有するとともに、その側面の一部が露出した状態の下部電極と、前記下部電極に高周波電力を印加する高周波電源と、プラズマが生成された際に前記下部電極に負の直流電圧を印加する直流電源とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L21/3065 , B01J19/08 , C23C16/507 , C23C16/509 , H01L21/31 , H05H1/46

FI (6件)：

H01L21/302 101B , B01J19/08 H , C23C16/507 , C23C16/509 , H01L21/31 C , H05H1/46 L

Fターム (38件)：

4G075AA24 , 4G075AA30 , 4G075AA62 , 4G075BC04 , 4G075BC06 , 4G075BD14 , 4G075CA47 , 4G075EB42 , 4G075EC21 , 4G075FC15 , 4K030FA03 , 4K030FA04 , 4K030GA02 , 4K030KA20 , 4K030KA30 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030KA47 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA06 , 5F004BA09 , 5F004BA20 , 5F004BB12 , 5F004BB13 , 5F004BB18 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F004CA03 , 5F004CA06 , 5F004CA09 , 5F045AA08 , 5F045EF05 , 5F045EH11 , 5F045EH13 , 5F045EH20 , 5F045GB04

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体ウェハの静電チャック解除方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149057 出願人：沖電気工業株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-336294 出願人：住友金属工業株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-223123 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社, 科学技術振興事業団

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