特許
J-GLOBAL ID：200903091714443683
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-352438
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201775
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 金属シリサイド層の層抵抗のばらつき及び増大化を防止して半導体装置の歩留り低下を防止すること。【構成】 ポリシリコン層4の側面にポリシリコン層4の高さより低い側壁酸化層6’を形成する。次に、全面にチタン層8を形成する。次に、チタン層8とポリシリコン層4とを熱処理により反応させて均一なチタンシリサイド層9’を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1)上にポリシリコン層(4)を形成する工程と、該ポリシリコン層の側面に該ポリシリコン層の高さより低い側壁絶縁層(6’)を形成する工程と、前記半導体基板、前記ポリシリコン層及び前記側壁絶縁層上に高融点金属層(8)を形成する工程と、該高融点金属層と前記ポリシリコン層とを熱処理により反応させて金属シリサイド層(9’)を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法。
引用特許：
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