特許
J-GLOBAL ID：200903091766000259
酸化膜/窒化膜/酸化膜誘電層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-359843
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188346
出願日： 1999年12月17日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：
【要約】【課題】 酸化膜/窒化膜/酸化膜(ONO)誘電層の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100の上部に形成されたポリシリコンパターンと、ポリシリコンパターンを含む半導体基板の上部に順次に積層された第1酸化膜層114/窒化膜層116/第2酸化膜層118を備えて、ポリシリコンパターンの端での第1酸化膜層114の厚さに対するポリシリコンパターンの上部面、または側面での第1酸化膜層厚さの比が約1.4以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上部に形成されたポリシリコンパターンと、前記ポリシリコンパターンを含む前記半導体基板の上部に順次に積層された第1酸化膜層/窒化膜層/第2酸化膜層を備えて、前記ポリシリコンパターンの端での前記第1酸化膜層の厚さに対する前記ポリシリコンパターンの上部面、または側面での前記第1酸化膜層厚さの比が約1.4以下であることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 21/318
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 21/318 M
, H01L 27/10 434
