特許
J-GLOBAL ID：200903091823425563
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174827
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026862
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 高温雰囲気においても高信頼性を確保することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層106よりバッファ層105、107の禁制帯幅が大きく、またクラッド層104、108の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層105、107の禁制帯幅より大きくなるように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてPを含み、かつ該活性層が主たる構成要素としてAsを含む半導体レーザ素子において、Pを含むクラッド層と、該活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ該クラッド層より小さいAsを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した半導体レーザ素子。
引用特許：
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