基板処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大森純一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-346602
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151569
出願日： 2000年11月14日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】フットプリントの極小化及び搬送時間の短縮化を図りつつ、膜質を良好に維持できる基板処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハWを加熱処理する加熱処理室151と、この加熱処理室151と連通され、少なくとも酸素濃度及び圧力の制御が可能なロードロック室152と、加熱処理室151とロードロック室152との間で基ウエハWを搬送する搬送アーム176と、加熱処理室151とロードロック室152との間を遮蔽可能なゲートバルブとを具備する。これにより良質な絶縁膜を形成することができる。また、ウエハWを他のユニットへ搬送させることなく、加熱処理室151に隣接したロードロック室152内で待機させることにより、ウエハWの搬送時間を短縮し、かつフットプリントを低減させることができる。

請求項（抜粋）：

基板を加熱処理する加熱処理室と、前記処理室と連通され、少なくとも酸素濃度及び圧力の制御が可能なロードロック室と、前記加熱処理室と前記ロードロック室との間で基板を搬送する搬送アームと、前記加熱処理室と前記ロードロック室との間を遮蔽可能なゲートバルブとを具備することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , B65G 49/07 , H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/68 A , B65G 49/07 C , H01L 21/31 A , H01L 21/316 G

Fターム (29件)：

5F031CA02 , 5F031FA01 , 5F031FA11 , 5F031FA12 , 5F031MA02 , 5F031MA06 , 5F031MA26 , 5F031MA30 , 5F031NA07 , 5F031NA09 , 5F045AB32 , 5F045AF03 , 5F045AF08 , 5F045BB16 , 5F045DC63 , 5F045DP02 , 5F045DQ10 , 5F045HA24 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF46 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BH02 , 5F058BH03 , 5F058BH04 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (7件)

基板処理装置及び基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-224694 出願人：国際電気株式会社, 株式会社日立製作所
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-008516 出願人：東京エレクトロン東北株式会社
加熱炉及びワークの加熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115668 出願人：関西日本電気株式会社

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