特許
J-GLOBAL ID：200903091868648164

窒化物系半導体素子の製造方法

発明者：
久納 康光

久納 康光 について

, 
竹内 邦生

竹内 邦生 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-042487
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221051
出願日： 2006年02月20日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】GaN系半導体等の窒化物系半導体からなる半導体素子層からGaN基板等の基板を良好に分離することにより、歩留まりの低下を抑制した窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 GaN基板1上に、半導体素子層9を形成する工程と、半導体素子層9の表面とサファイア基板10とを接合する工程と、レーザ光をサファイア基板10側から照射して、GaN基板1の半導体素子層側表面を分解させることによって、半導体素子層9とGaN基板1とを分離する工程とを備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第一の基板上に少なくとも1層以上の窒化物系半導体からなる層を有する半導体素子層を成長する工程と、前記半導体素子層上に第二の基板を形成する工程と、前記第二の基板と前記半導体素子層を透過し、かつ、前記第一の基板に吸収されるレーザ光を前記第二の基板側から照射して、前記第一の基板を分離する工程とを備えることを特徴とする窒化物系半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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