特許
J-GLOBAL ID：200903091984113073
半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195494
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040805
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 セル領域及び周辺領域間の段差を低減させると同時に、キャパシタンスを増加させる。【解決手段】 ストレージノードを含む半導体基板100上に層間絶縁膜を順次形成し、ストレージノード101が露出するようにエッチングしてコンタクト孔を形成する。側面に歯車形状のウェーブが形成されたフォトレジストパターンを第2層間絶縁膜上に形成し、そのパターンの両側壁に、内側面に前記ウェーブが形成されるスペーサを形成する。フォトレジストパターンを除去し、コンタクト孔内及びスペーサ間にドープしたポリシリコン膜を埋め込み、側壁に前記ウェーブが形成されるストレージノード電極112を形成する。前記スペーサ及び第2層間絶縁膜を除去し、前記ストレージノード電極表面に誘電体膜114及びプレート電極116を順次積層する。
請求項（抜粋）：
ストレージノードを含む半導体基板を提供する段階;前記半導体基板上に第1層間絶縁膜、平坦化膜及び第2層間絶縁膜を順次形成する段階;前記ストレージノードの所定部分が露出するように、第1層間絶縁膜、平坦化膜及び第2層間絶縁膜をエッチングしてコンタクト孔を形成する段階;前記コンタクト孔が埋め込まれるように、側面に歯車形状のウェーブが形成されたフォトレジストパターンを第2層間絶縁膜上に形成する段階;前記歯車形状のウェーブが形成されたフォトレジストパターンの両側壁に、内側面に前記フォトレジストパターンの両側壁によって歯車形状のウェーブが形成されるスペーサを形成する段階;前記側壁に歯車形状のウェーブが形成されたフォトレジストパターンを除去する段階;前記コンタクト孔内及びスペーサ間にドープしたポリシリコン膜を埋め込み、側壁に前記スペーサによって歯車形状のウェーブが形成されるストレージノード電極を形成する段階;前記スペーサ及び第2層間絶縁膜を除去する段階;及び前記ストレージノード電極表面に誘電体膜及びプレート電極を順次積層する段階を含むことを特徴とする、半導体メモリ素子のキャパシタ形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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