特許
J-GLOBAL ID：200903092224766910

半導体装置の製造方法

発明者：
竹内 幸一

竹内 幸一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-387467
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150494
出願日： 2003年11月18日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】リソグラフィ工程において、狭いピッチの開口パターンであっても解像することができ、微細な開口であっても寸法精度良く形成できるようにする。【解決手段】半導体基板上の被加工膜に形成すべき開口群を構成する開口1を、当該開口同士の間の距離が所定の設定距離よりも小さくならないように複数のグループA,Bに分割して、各グループA,B別の露光用マスクを形成し、各グループA,B別の露光用マスク毎に、前記被加工膜上に成膜されたレジスト膜へのマスクパターンの露光転写工程と、当該マスクパターンが露光転写されたレジスト膜をマスクにしたエッチング工程とを行い、これを前記グループ別の露光用マスクの全てについて繰り返すことで、前記被加工膜に前記開口群を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上の被加工膜に形成すべき開口群を構成する開口を、当該開口同士の間の距離が所定の設定距離よりも小さくならないように複数のグループに分割して、各グループ別の露光用マスクを形成し、 前記グループ別の露光用マスク毎に、前記被加工膜上に成膜されたレジスト膜へのマスクパターンの露光転写工程と、当該マスクパターンが露光転写されたレジスト膜をマスクにしたエッチング工程とを行い、これを前記グループ別の露光用マスクの全てについて繰り返すことで、前記被加工膜に前記開口群を形成する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/3205
FI (4件)：
H01L21/30 514Z ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/88 B ,  H01L21/30 515F
Fターム (15件)：
5F033QQ01 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033VV16 ,  5F033VV17 ,  5F033XX03 ,  5F046AA05 ,  5F046AA26 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • Beyond k1=0.25 lithography : 70nm L/S patterning using KrF scanners

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