特許
J-GLOBAL ID：200903092276218163

シリコン膜の形成方法、当該シリコン膜の形成方法を使用するデバイスの製造方法及び当該デバイスの製造方法を使用する電気光学機器の製造方法

発明者：
青木 敬

青木 敬 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-060466
公開番号（公開出願番号）：特開2005-251982
出願日： 2004年03月04日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 耐熱性に優れたフォトレジストを用い、微細なシリコン膜のパターニングを行うことができるシリコン膜の形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基体上にレジストパターンを形成し、凹部を形成する工程と、前記凹部に液体シリコン材料を塗布する工程と、前記レジストパターン及び塗布された前記液体シリコン材料に対して、光処理及び第1熱処理を行う工程と、前記液体シリコン材料に対して、第2熱処理を行う工程と、を含む、シリコン膜の形成方法により解決する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体上にレジストパターンを形成し、凹部を形成する工程と、 前記凹部に液体シリコン材料を塗布する工程と、 前記レジストパターン及び塗布された前記液体シリコン材料に対して、光処理及び第1熱処理を行う工程と、 前記液体シリコン材料に対して、第2熱処理を行う工程と、 を含む、シリコン膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L21/208 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
H01L21/208 Z ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618A
Fターム (32件)：
5F052AA02 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052JA01 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053GG06 ,  5F053HH04 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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