特許
J-GLOBAL ID：200903092322645101
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北野 好人
, 三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084531
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296596
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】より高いスループットで被研磨膜を平坦化し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数の研磨テーブル102a〜102cと、研磨テーブルの数より多い研磨ヘッド112a〜112dとを有する研磨装置を用いて被研磨膜を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法であって、平坦化工程では、複数の研磨テーブルを用いて順次行われる複数の研磨工程を経ることにより、半導体基板上に形成された被研磨膜の表面を平坦化し、各々の研磨工程では、被研磨膜を研磨テーブルを用いて研磨している際に、研磨に用いられていない研磨ヘッド112aに対して、半導体基板の取り付け及び/又は取り外しを行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の研磨テーブルと、前記研磨テーブルの数より多い研磨ヘッドとを有する研磨装置を用いて被研磨膜を平坦化する平坦化工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記平坦化工程では、前記複数の研磨テーブルを用いて順次行われる複数の研磨工程を経ることにより、半導体基板上に形成された被研磨膜の表面を平坦化し、
各々の前記研磨工程では、前記被研磨膜を前記研磨テーブルを用いて研磨している際に、研磨に用いられていない前記研磨ヘッドに対して、半導体基板の取り付け及び/又は取り外しを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/304 621D
, H01L21/304 622D
, H01L21/304 622S
, H01L21/304 622X
