特許
J-GLOBAL ID：200903092384189501

スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法

発明者：
高見 英生

高見 英生 について

, 
矢作 政隆

矢作 政隆 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-394028
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154820
出願日： 2003年11月25日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【要約書】【課題】 SiO2系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜(特に保護膜としての使用)及びその製造方法に関するものであり、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善することを目的とする。【解決手段】 酸化錫相(110)のピーク強度I1と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のX線回折図における2θ=15〜40°の範囲に存在する最大ピーク強度I2がI2/I1=0.1〜1であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と3価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
酸化錫相(110)のピーク強度I1と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のX線回折図における2θ=15〜40°の範囲に存在する最大ピーク強度I2がI2/I1=0.1〜1であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と3価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C14/34 ,  C04B35/495 ,  G11B7/24 ,  G11B7/26
FI (5件)：
C23C14/34 A ,  G11B7/24 534K ,  G11B7/24 535A ,  G11B7/26 531 ,  C04B35/00 J
Fターム (29件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030AA42 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D029LA14 ,  5D029LA18 ,  5D029LA19 ,  5D029LC11 ,  5D029LC16 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (10件)
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