半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077952
公開番号（公開出願番号）：特開平11-073774
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、アドレス信号入力のタイミングを早めた高速な半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体記憶装置は、コマンド入力信号をデコードしてコマンドデコード信号を出力するコマンドデコーダと、該コマンド入力信号をデコードしてアドレス取り込み信号を出力する該コマンドデコーダより動作が高速なアドレス取り込み信号生成回路と、該コマンドデコード信号に基づいて内部回路を制御する制御回路と、該アドレス取り込み信号に基づいてアドレス信号を取り込むアドレス入力回路を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

コマンド入力信号をデコードしてコマンドデコード信号を出力するコマンドデコーダと、該コマンド入力信号をデコードしてアドレス取り込み信号を出力する該コマンドデコーダより動作が高速なアドレス取り込み信号生成回路と、該コマンドデコード信号に基づいて内部回路を制御する制御回路と、該アドレス取り込み信号に基づいてアドレス信号を取り込むアドレス入力回路を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/408 , G11C 11/41 , G11C 11/407

FI (3件)：

G11C 11/34 354 B , G11C 11/34 301 D , G11C 11/34 362 S

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体記憶装置及びデータ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-229808 出願人：株式会社日立製作所
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-314463 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-311240 出願人：日本電気株式会社

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