薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 宇谷勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-233289
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080505
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】抵抗が低く、画素電極または半導体層との接触性が優れた配線を有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、液晶表示装置または有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配線に関し、モリブデン(Mo)にニオビウム(Nb)、バナジウム(V)またはチタニウム(Ti)を所定量含むモリブデン合金層とアルミニウム層の積層構造を形成することによって、既存の純粋モリブデン(Mo)を使用した場合に比べて、モリブデン合金層とアルミニウム層の相対的なエッチング速度の差が減少し、エッチング工程時におけるアンダーカット、オーバーハング及びマウスバイトなどが発生しない。更に、半導体層または画素電極との接触特性も改善されたことを特徴とする低抵抗性及び耐薬品性を同時に有する薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成され、アルミニウム(Al)を含む第1金属層、及びモリブデン(Mo)にニオビウム(Nb)、バナジウム(V)、チタニウム(Ti)から選択された少なくとも一つの成分を含むモリブデン合金を含む第2金属層からなるゲート電極を有するゲート線と、前記ゲート線上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の所定領域に形成されている半導体層と、前記ゲート絶縁膜及び半導体層上に形成され、ソース電極を有するデータ線と、前記ソース電極と所定間隔を置いて対向しているドレイン電極と、前記データ線及びドレイン電極上に形成され、コンタクトホールを有する保護膜と、前記保護膜上の所定領域に前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と接続される画素電極と、を備える薄膜トランジスタ表示板。

IPC (6件)：

H01L 29/786 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/28 , G02F 1/136 , H01L 51/50

FI (7件)：

H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L21/88 R , H01L21/28 301R , G02F1/1368 , H05B33/14 A

Fターム (104件)：

2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KA24 , 2H092KB22 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092NA28 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007GA00 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB16 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD64 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG19 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH20 , 5F033HH22 , 5F033HH25 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK08 , 5F033KK10 , 5F033KK20 , 5F033KK22 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM19 , 5F033PP15 , 5F033QQ00 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ20 , 5F033QQ34 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR27 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV10 , 5F033VV15 , 5F033WW00 , 5F033WW04 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK26 , 5F110HK27 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ01 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (9件)

液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-134189 出願人：株式会社日立製作所
薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037675 出願人：エルジー電子株式会社
液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-309472 出願人：三星電子株式会社

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