半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-090860
公開番号（公開出願番号）：特開2006-277786
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】チップ内で効率的にエラービット検出を行うことを可能とした半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うためのセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路内で、前記メモリセルアレイの読み出しデータと外部から供給された期待値データとの間で排他的論理和演算処理が行われる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うためのセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路内で、前記メモリセルアレイの読み出しデータと外部から供給された期待値データとの間で排他的論理和演算処理が行われることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 29/12 , G11C 16/02 , G11C 16/06 , G11C 16/04

FI (6件)：

G11C29/00 673B , G11C17/00 611A , G11C17/00 641 , G11C17/00 634G , G11C17/00 601Z , G11C17/00 622E

Fターム (15件)：

5B125BA02 , 5B125BA19 , 5B125CA01 , 5B125DB08 , 5B125DB19 , 5B125DE07 , 5B125DE08 , 5B125EA05 , 5B125EE01 , 5B125EE04 , 5B125EJ08 , 5B125EK10 , 5B125FA01 , 5L106AA10 , 5L106BB01

引用特許：

出願人引用 (2件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-266085 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置及びそのシステム装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-045330 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (6件)

メモリテスト回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-250992 出願人：沖電気工業株式会社
半導体不揮発性記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-194898 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-377406 出願人：株式会社東芝

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