特許
J-GLOBAL ID:200903093927660915
成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
村上 友一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-070393
公開番号(公開出願番号):特開2003-273111
出願日: 2002年03月14日
公開日(公表日): 2003年09月26日
要約:
【要約】【課題】 製造コストの削減が可能な、マスク形成方法の提供を目的とする。【解決手段】 被処理部材の表面に所定パターンの被膜を形成する方法であって、被処理部材に対するパターン材料溶液の密着性改善を行う工程(S178)と、被処理部材表面のマスクに設けたパターン形成用凹部にパターン材料溶液を充填する工程(S180)と、パターン材料溶液を処理することにより形成すべきパターン被膜の膜質改善を行う工程(S186)と、マスク上に付着したパターン材料溶液を除去する工程(S188)と、パターン材料溶液を乾燥させる工程(S190)と、パターン被膜をアニール処理する工程(S196)とを、行う構成とした。
請求項(抜粋):
被処理部材の表面に所定パターンの被膜を形成する方法であって、前記被処理部材を洗浄した後に、前記被処理部材表面のマスクに設けたパターン形成用凹部に、パターン材料溶液を充填する工程を行うことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件):
H01L 21/3205
, G02F 1/13 101
, H01L 21/288
FI (3件):
G02F 1/13 101
, H01L 21/288 Z
, H01L 21/88 B
Fターム (30件):
2H088FA23
, 2H088HA02
, 2H088MA16
, 2H088MA20
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104BB36
, 4M104DD21
, 4M104DD46
, 4M104DD51
, 4M104DD75
, 4M104DD78
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH38
, 5F033MM01
, 5F033PP26
, 5F033QQ00
, 5F033QQ53
, 5F033QQ73
, 5F033RR04
, 5F033RR09
, 5F033SS11
, 5F033SS21
, 5F033XX33
引用特許:
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