特許
J-GLOBAL ID：200903092631360561

炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者：
田中 秀明

田中 秀明 について


出願人/特許権者：
日産自動車株式会社

日産自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-371122
公開番号（公開出願番号）：特開2002-175997
出願日： 2000年12月06日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】基板表面にダメージを生じることなく、低コストでSiC基板に不純物拡散領域を形成する。【解決手段】p型SiC基板1の表面に窒素イオン4を導入した後、熱酸化によってSiC基板1の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、不純物ドーピング層6の窒素をSiC基板1の裏面に向かって拡散させて、n型不純物拡散層7を形成する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素半導体基板の表面に不純物を導入する工程と、前記半導体基板の格子間シリコン原子の数を増加させることにより、前記不純物を前記半導体基板の裏面に向かって拡散させて、不純物拡散層を形成する工程とを備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/22 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/329
FI (4件)：
H01L 21/22 Y ,  H01L 21/22 P ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/91 A
Fターム (8件)：
5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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