特許
J-GLOBAL ID:200903092699180545
配線板及びその製造方法、半導体搭載用基板及びその製造方法、半導体パッケージ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-374866
公開番号(公開出願番号):特開2003-174257
出願日: 2001年12月07日
公開日(公表日): 2003年06月20日
要約:
【要約】【課題】 配線密度に優れた配線板とそれを用いた半導体搭載用基板と半導体パッケージ、及び、工程を簡略化でき、低コストで接続信頼性の高い配線板の製造方法、半導体搭載用基板の製造方法および半導体パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】 内層配線が形成された内層基板と、該内層基板の少なくとも片側に、接着剤層と、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の上に形成された配線とを有し、該配線と少なくとも内層配線とがバイアホールで接続されている薄膜ビルドアップ層とを有し、絶縁樹脂層の上に形成された配線が、スパッタ金属層と該スパッタ金属層を下地金属としたパターン電気めっき層である配線板。
請求項(抜粋):
内層配線が形成された内層基板と、該内層基板の少なくとも片側に、接着剤層と、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の上に形成された配線とを有し、該配線と少なくとも内層配線とがバイアホールで接続されている薄膜ビルドアップ層とを有し、絶縁樹脂層の上に形成された配線が、スパッタ金属層と該スパッタ金属層を下地金属としたパターン電気めっき層であることを特徴とする配線板。
IPC (4件):
H05K 3/46
, H01L 23/12 501
, H05K 3/00
, H05K 3/42 620
FI (7件):
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 S
, H05K 3/46 X
, H01L 23/12 501 W
, H05K 3/00 N
, H05K 3/42 620 B
Fターム (42件):
5E317AA24
, 5E317BB01
, 5E317BB12
, 5E317CC31
, 5E317CC44
, 5E317CC51
, 5E317CD15
, 5E317CD18
, 5E317CD25
, 5E317CD32
, 5E317GG11
, 5E317GG14
, 5E346AA05
, 5E346AA06
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA16
, 5E346AA32
, 5E346AA35
, 5E346AA38
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346BB15
, 5E346CC02
, 5E346CC08
, 5E346CC31
, 5E346CC41
, 5E346CC52
, 5E346CC58
, 5E346DD02
, 5E346DD17
, 5E346DD22
, 5E346DD33
, 5E346DD47
, 5E346EE33
, 5E346FF04
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG28
, 5E346HH03
, 5E346HH24
引用特許:
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