特許
J-GLOBAL ID：200903092834706323
常圧乾燥装置及び基板処理装置及び基板処理方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-247653
公開番号（公開出願番号）：特開2009-081182
出願日： 2007年09月25日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：
【課題】被処理基板上に塗布された処理液の膜について、乾燥斑の発生を確実かつ容易に防止して塗布膜の膜質向上を効率よく実現すること。【解決手段】上流側隣のレジスト塗布ユニットでレジスト液を塗布された基板Gは、加熱用浮上ステージ106上でそれまでの常温からそれよりも高い温度で加熱される。この基板裏側からの加熱によって、基板G上のレジスト塗布膜のバルク部における溶剤の液相拡散が促進される。一方、冷風ノズル130と吸い込み口132との間で、基板G上のレジスト塗布膜の表面が冷風Aに曝される。これにより、レジスト塗布膜の表層部における溶剤の拡散、特に空中への気相拡散は抑制される。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
溶剤を含む処理液を塗布された被処理基板を所定の搬送路上で平流しで搬送する平流し搬送部と、
前記平流しの搬送中に、常圧の雰囲気下で、前記基板上の処理液の塗布膜を基板の裏面側から常温よりも高い温度で加熱する裏面加熱部と、
前記平流しの搬送中に、常圧の雰囲気下で、前記裏面加熱部と反対側から前記基板上の塗布膜の表面を常温よりも低い温度で冷やす表面冷却部と
を有する常圧乾燥装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, F26B 23/04
, F26B 13/02
, F26B 3/04
H01L21/30 567
, H01L21/30 566
, F26B23/04 C
, F26B13/02
, F26B3/04
3L113AA02
, 3L113AB02
, 3L113AC08
, 3L113AC35
, 3L113AC48
, 3L113BA34
, 3L113CB05
, 3L113CB22
, 3L113DA11
, 3L113DA24
, 5F046KA04
, 5F046KA05
, 5F046KA07
, 5F046KA10
