特許
J-GLOBAL ID:200903033696466123

基板処理装置及び基板処理方法及び基板処理プログラム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐々木 聖孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-076879
公開番号(公開出願番号):特開2006-261394
出願日: 2005年03月17日
公開日(公表日): 2006年09月28日
要約:
【課題】 スピンレス方式で被処理基板上に処理液を供給する処理動作のタクトタイムを短縮するとともに、浮上搬送方式において被処理基板上に処理液の塗布膜を均一な膜厚で形成すること。【解決手段】 浮上力を安定化させるために用いられるバキューム機構の真空圧力に変動が生じると、ノズル高さ位置補正部の制御回路が圧力センサを通じてその真空圧力の変動を検出し、そのような真空圧力の変動に対して一定の応答特性を有する制御信号を生成して圧電アクチエータを駆動制御し、圧電アクチエータより発生される変位によってレジストノズルの高さ位置を可変制御する。これにより、たとえば、バキューム機構の真空圧力の変動に応じて基板Gが設定浮上高度Hbよりも上方へ変位するときは、その基板Gの変位と同じタイミングでレジストノズル78も上方へほぼ同じ変位量だけ変位し、結果的にレジストノズル78と基板GとのギャップSが設定値に保たれる。【選択図】 図18
請求項(抜粋):
気体を噴出する多数の噴出口と気体を吸い込む多数の吸引口とが混在して設けられた第1の浮上領域を有するステージと、 被処理基板を前記ステージ上で浮かせた状態で所定の搬送方向に前記第1の浮上領域を通過させる基板搬送部と、 前記第1の浮上領域の上方に配置されるノズルを有し、前記基板上に処理液を供給するために前記ノズルより前記処理液を吐出させる処理液供給部と、 前記ノズルと前記基板との間のギャップを所望の値に設定するためのギャップ設定部と、 前記噴出口に正圧の気体を供給する正圧気体供給機構と、 前記吸引口に真空の圧力を供給するバキューム機構と、 前記バキューム機構内の真空圧力を検出する圧力検出部と、 前記第1の浮上領域で前記ギャップが前記設定値に保たれるように、前記圧力検出部によって検出される真空圧力の変動に応じて前記ノズルの高さ位置を可変制御するノズル高さ位置補正部と を有する基板処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/027 ,  B05C 5/02 ,  B05C 13/02 ,  B05D 1/06 ,  B05D 3/00
FI (5件):
H01L21/30 564Z ,  B05C5/02 ,  B05C13/02 ,  B05D1/06 Z ,  B05D3/00 C
Fターム (26件):
4D075AC02 ,  4D075AC78 ,  4D075AC88 ,  4D075AC93 ,  4D075AC94 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4F041AA02 ,  4F041AA05 ,  4F041AB00 ,  4F041BA21 ,  4F041CA02 ,  4F042AA06 ,  4F042AA10 ,  4F042AB00 ,  4F042BA25 ,  4F042DF09 ,  4F042DF10 ,  4F042DF16 ,  5F046CD07 ,  5F046JA02 ,  5F046JA27
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 塗布膜形成装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-331663   出願人:東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る