特許
J-GLOBAL ID：200903092866270756
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332238
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133585
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】発光波長の異なる発光ダイオードを同じ駆動電源で、且つ外部回路的に電圧抵抗を付加すること無く使用可能とする。【解決手段】結晶基板上に半導体のp型層とn型層を形成して、そのp型層側とn型層側に金属電極を形成した発光ダイオードにおいて、p型層中またはn型層中またはp型層とn型層の界面、またはp型層と金属電極界面、またはn型層と金属電極界面に、高抵抗層又はヘテロ障壁を挿入して、発光ダイオードの駆動電圧を高める。
請求項（抜粋）：
結晶基板上に半導体のp型層とn型層を形成して、そのp型層側とn型層側に金属電極を形成した発光ダイオードにおいて、p型層中またはn型層中またはp型層とn型層の界面、またはp型層と金属電極界面、またはn型層と金属電極界面に発光ダイオードの駆動電圧を高めるための高抵抗層を挿入したことを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (5件)：
5F041AA21
, 5F041CA34
, 5F041CA51
, 5F041CA65
, 5F041FF01
