特許
J-GLOBAL ID:200903092971173200
ウェーハレベルパッケージ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-341982
公開番号(公開出願番号):特開2005-109221
出願日: 2003年09月30日
公開日(公表日): 2005年04月21日
要約:
【課題】MEMS技術などを使用した薄膜デバイスや高周波デバイスに適した、内部にキャビティを有する薄型でチップサイズのウェハレベルパッケージを提供する。【解決手段】2枚の基板11、21の少なくともいずれかにデバイス12との内部電極パッド13、23および導電性バンプ24を形成し、2枚の基板のいずれかに内部電極パッドを形成するとともに周囲に接着樹脂25を塗布し、両基板を対向させて導電性バンプにより内部電極パッドを接続すると同時に、接着樹脂で貼り合せて封止する。次に、2枚の基板のいずれかの裏面から内部電極パッドに達するウエル26を形成し、ウエルの内面と絶縁体基板の裏面に外部電極27を同時に形成し、ダイシングによりチップ分離することによりウェハレベルパッケージを作成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電気素子が設けられた第1の基板と、
前記電気素子を覆うように前記第1の基板と離間して対向配置された第2の基板と、
前記電気素子に接続され前記第1及び第2のうちのいずれかの基板の主面上に延在する内部電極パッドと、
前記いずれかの基板を貫通して前記内部電極パッドに至るウエルと、
前記いずれかの基板の外側の主面から前記ウエルの内壁面を介して前記内部電極パッドに接続された外部電極パッドと、
を備えたことを特徴とするウェーハレベルパッケージ。
IPC (7件):
H01L23/12
, H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
, H03H3/02
, H03H9/02
, H03H9/17
FI (5件):
H01L23/12 501P
, H03H3/02 C
, H03H9/02 A
, H03H9/17 F
, H01L25/08 B
Fターム (6件):
5J108AA00
, 5J108CC11
, 5J108EE03
, 5J108FF05
, 5J108KK04
, 5J108MM02
引用特許: