特許
J-GLOBAL ID：200903093038093154
微細加工用のパターンの形成方法およびこの方法を用いた微細加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-143299
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339985
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：
【要約】【目的】 工程が簡単でコストを低減でき、パターン精度も向上するような、微細加工用のパターンの形成方法、またこの方法を用いた微細加工方法を提供する。【構成】 下地10上に、プラズマ重合により、ポリシランからなるポリシラン層15を設ける。次に、ポリシラン層15を大気中でDeep-UVを照射して選択露光することにより、このポリシラン層15の露光部分15aをポリシランからポリシロキサンに変化させる。次に、未露光部分15bのポリシラン層15に対し、HBrガスを用いて、プラズマエッチングを行うことにより除去し、露光部分15aをパターンとして残存させる。そして、このパターン15aをマスクとして用いてエッチングすることにより、下地10を微細加工する。
請求項（抜粋）：
下地上にポリシランからなるポリシラン層を設ける工程と、前記ポリシラン層を酸素含有雰囲気中で選択露光することにより、該ポリシラン層の露光部分を前記ポリシランからポリシロキサンに変化させる工程と、未露光部分のポリシラン層を、酸性ガスを用いたプラズマエッチングを行うことにより除去する工程とを含むことを特徴とする微細加工用のパターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, G03F 7/075
, G03F 7/36
, H01L 21/027
, H05H 1/46
H01L 21/302 H
, G03F 7/075
, G03F 7/36
, H05H 1/46 B
, H01L 21/30 527
, H01L 21/30 569 H
