特許
J-GLOBAL ID:200903093041068683

位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-102219
公開番号(公開出願番号):特開2005-284213
出願日: 2004年03月31日
公開日(公表日): 2005年10月13日
要約:
【解決手段】 基板上に主として光吸収機能を有する膜を持ち、更にその上に1層以上の主として位相シフト機能を有する膜を有する多層型位相シフトマスクブランクであって、前記光吸収機能を有する膜が4A族に属する金属を有し、かつ該金属含量が該膜の下部より上部の方が高いことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。【効果】 本発明の位相シフトマスクブランクを用いて位相シフトマスクを加工する際、ドライエッチング工程において、ドライエッチング中に光吸収膜が容易に検出され、かつ基板との選択比が有利に取れるため、精度の高い加工が可能となる。またこれにより精度の高い透過率、位相シフト量を持ったマスクが得られることから、このマスクを使用したフォトリソグラフィーにおいて、より深い焦点深度を確保することが可能になる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基板上に主として光吸収機能を有する膜を持ち、更にその上に1層以上の主として位相シフト機能を有する膜を有する多層型位相シフトマスクブランクであって、前記光吸収機能を有する膜が4A族に属する金属元素を有し、かつ該金属元素含量が光吸収機能膜の下部より上部の方が高いことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクブランク。
IPC (2件):
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (3件):
G03F1/08 A ,  G03F1/08 L ,  H01L21/30 502P
Fターム (4件):
2H095BB03 ,  2H095BC05 ,  2H095BC11 ,  2H095BC24
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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