特許
J-GLOBAL ID:200903060280422353
ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス及びハーフトーン型位相シフトマスク
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-054647
公開番号(公開出願番号):特開2000-250196
出願日: 1999年03月02日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】多層膜ハーフトーンブランクスの各層のエッチングレートを制御することで、ドライエッチング加工後のマスクパターンのテーパー形状の改善や位相差精度の向上を図ることを目的とする。【解決手段】合成石英ガラスからなる透明基板11上にZrSiの化合物ターゲットを用いてスAr及びO2ガスを使用した反応性スパッタリング成膜を行い、ZrSiの化合物薄膜からなる第1層膜12及び第2層膜13を有する2層膜のハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス10を作製し、感光層形成、電子線描画、現像等の一連のパターニングプロセスを経てレジストパターン14を形成し、レジストパターン14をマスクにしてエッチングガスSiCl4を用いたドライエッチング加工して、マスクパターン12a及び13aを有するハーフトーン型位相シフトマスク20を得る。
請求項(抜粋):
透明基板上にジルコニウムまたはシリコンを構成元素とする化合物薄膜の多層膜からなるハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクスにおいて、前記多層膜は前記透明基板上に最初に設けられた1層目の前記化合物薄膜の酸素含有量がそれ以降に設けられる2層目以降の前記化合物薄膜の酸素含有量よりも低い値になるように形成されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク用ブランクス。
IPC (2件):
FI (3件):
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
Fターム (9件):
2H095BA06
, 2H095BA07
, 2H095BB03
, 2H095BC24
, 5F046AA25
, 5F046BA05
, 5F046BA08
, 5F046CA04
, 5F046CA08
引用特許:
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