特許
J-GLOBAL ID：200903093068413250
単結晶の製造方法、単結晶および複合体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
細田 益稔
, 青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-328543
公開番号（公開出願番号）：特開2005-187317
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 欠陥密度が低い窒化ガリウムや窒化ガリウム-窒化アルミニウム固溶体単結晶のバルクやウェハーを製造する方法を提供する。【解決手段】 ScAlMgO4を基本組成とする種結晶10を、少なくともGaとNaフラックスとを含む融液13に対して窒素含有雰囲気下に接触させることによって、Ga1-xAlxN(x=0〜0.5)の基本組成を有する単結晶を育成する。好ましくは、融液13が更にCaを含んでおり、また、種結晶10としてマイクロ引き下げ法によって育成されたものを用いる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ScAlMgO4を基本組成とする種結晶を、少なくともGaとNaフラックスとを含む融液に対して窒素含有雰囲気下に接触させることによって、Ga1-xAlxN(x=0〜0.5)の基本組成を有する単結晶を育成することを特徴とする、単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077CD05
, 4G077EA06
, 4G077ED01
, 4G077HA12
, 4G077MB12
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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