特許
J-GLOBAL ID：200903093138294432

表示装置及びその作製方法

発明者：
宮川 恵介

宮川 恵介 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-345108
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203351
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 このように、半導体素子や配線を微細化するためのパターン精度が向上しても、メタルマスクの開口部を狭くできないため、発光素子を有する表示装置の高精細化が期待できなかった。【解決手段】 上記課題を鑑み、本発明は、同色の素子形成領域を斜めに配置し、複数の画素で素子形成領域を共有する画素構成を特徴とする。具体的には、第1色、第2色、及び第3色の素子形成領域をそれぞれ斜めに配列し、3以上の前記素子形成領域を一画素で共有することを特徴とする。また本発明は、該画素構成を有する表示装置を特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1色の素子形成領域、第2色の素子形成領域、及び第3色の素子形成領域をそれぞれ斜めに配列し、 3以上の前記素子形成領域を一画素で共有する ことを特徴とする表示装置。
IPC (4件)：
H05B33/12 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (4件)：
H05B33/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (5件)：
3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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