特許
J-GLOBAL ID：200903093355971159

半導体装置の製造方法

発明者：
中嶋 一明

中嶋 一明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269556
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099747
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】 ゲート絶縁膜が大気やメタル電極のエッチング液等に曝されて劣化することなく、仕事関数の異なるnMOS、pMOSに適したメタルゲートMISFETを含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 メタル電極を有するn型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを備えた半導体装置の製造方法であって、単結晶シリコン基板100上に設けられたゲート絶縁膜102と、ゲート絶縁膜102上に設けられた第一の金属膜103、第二の金属膜104、第三の金属膜105、導電層106を備えたゲート電極108とを備えた構造であって、熱工程によって第二の金属膜104の構成元素を第一の金属膜103を通してゲート絶縁膜102中へ拡散させることによって、n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタそれぞれに適した仕事関数に変化させる。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に第一及び第二の領域を形成する工程と、 前記第一及び第二の領域上にハフニウム又はジルコニウムと酸素を含有するゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上に第一の金属膜を形成する工程と、 前記第一の金属膜上に第二の金属膜を形成する工程と、 前記第二の金属膜の一部を除去する工程と、 前記第二の金属膜上および前記第二の金属膜が除去された領域の前記第一の金属膜上に第三の金属膜を形成する工程と、 前記第二の金属膜の構成元素を前記第一の金属膜を通して前記ゲート絶縁膜中へ導入する加熱工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49
FI (3件)：
H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/58 G
Fターム (83件)：
4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD55 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BE03 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE05 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF27 ,  5F140BF28 ,  5F140BF30 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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