特許
J-GLOBAL ID:200903093436338337
成膜装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小谷 悦司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-203168
公開番号(公開出願番号):特開2001-035798
出願日: 1999年07月16日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 成膜室の大型化や増設を伴うことなく、複数種の膜を円滑に効率よく、しかも高精度で積層形成する。【解決手段】 積層すべき各膜に対応して複数の成膜室10p,10i,10nを装備し、各成膜室でプラズマCVDによる成膜を行うようにした成膜装置。厚さの小さい膜を形成するための成膜室10p,10nには、プラズマ発生用電極として固定電極16を設け、厚さの大きい膜を形成するための成膜室10i内には、基材に近接した状態で回転する回転電極18を設ける。また、この回転電極18に対して基材を移動させる搬送台12を装備する。
請求項(抜粋):
外部から隔離された状態で相互接続される複数の成膜室を備え、各成膜室内に基材との間にプラズマを発生させるための電極を設けて当該プラズマに反応ガスを供給することにより成膜が行われるようにし、これら成膜室によって前記基材上に互いに厚さの異なる複数種の膜が積層されるように構成した成膜装置であって、前記成膜室のうち、最も厚さの小さい膜を形成するための成膜室には、前記電極として成膜中実質的に静止状態を保つ固定電極を設け、最も厚さの大きい膜を形成するための成膜室内には、基材に近接した状態で回転する回転電極を設け、かつ、この回転電極に対して基材を移動させる基材送り手段を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件):
H01L 21/205
, C23C 16/505
FI (2件):
H01L 21/205
, C23C 16/505
Fターム (39件):
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030AA20
, 4K030BA09
, 4K030BA29
, 4K030BA30
, 4K030BA31
, 4K030BA37
, 4K030BB12
, 4K030CA17
, 4K030FA03
, 4K030GA12
, 4K030GA14
, 4K030KA08
, 4K030KA16
, 4K030KA28
, 4K030LA16
, 5F045AA08
, 5F045AA10
, 5F045AB01
, 5F045AB04
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AF07
, 5F045BB09
, 5F045BB14
, 5F045CA13
, 5F045DA52
, 5F045DP22
, 5F045DQ15
, 5F045EB08
, 5F045EB09
, 5F045EH04
, 5F045EH07
, 5F045EH11
, 5F045EH14
, 5F045EM10
, 5F045EN04
, 5F045HA24
引用特許:
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