特許
J-GLOBAL ID:200903093569104932
イオンビーム装置およびイオンビーム加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
坂上 正明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-243210
公開番号(公開出願番号):特開2004-087174
出願日: 2002年08月23日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】観察面(断面)への二次粒子の再付着を防止することのできるイオンビーム装置を提供する。【解決手段】試料6の特定部位に所定の液体金属イオンビームを照射して断面を形成する液体金属イオンビーム照射装置1と、所定のビーム径に集束した気体イオンビームで上記断面の所定の領域(観察領域)を走査して、該所定の領域上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射装置7とを有する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
試料の特定部位に所定の液体金属イオンビームを照射して断面を形成する液体金属イオンビーム照射手段と、
所定のビーム径に集束した気体イオンビームで前記断面の所定の領域を走査して、該所定の領域上のダメージ層を除去する気体イオンビーム照射手段とを有することを特徴とするイオンビーム装置。
IPC (4件):
H01J37/305
, H01J27/22
, H01J37/20
, H01J37/28
FI (5件):
H01J37/305 A
, H01J27/22
, H01J37/20 Z
, H01J37/28 B
, H01J37/28 C
Fターム (8件):
5C001BB07
, 5C001CC04
, 5C001CC07
, 5C030DF04
, 5C033SS07
, 5C033UU04
, 5C034BB06
, 5C034BB09
引用特許:
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