TFT基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072489
公開番号（公開出願番号）：特開平10-268347
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】ゲート配線の上に陽極酸化工程を経ずにゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】金属膜2aのドライエッチングによりなだらかなテーパを有するゲート配線2を形成し、その上にCVD法等によりゲート絶縁膜5を形成する。ゲート配線2のテーパがなだらかなので、ゲート絶縁膜5のカバレージ状態が良くなり、後工程における段切れ不良の発生も少なく、絶縁性も良好となる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた複数のゲート配線を覆ってゲート絶縁膜が設けられたTFT基板であって、該ゲート配線がその側壁をなだらかな10 ゚以上30 ゚以下のテーパとして形成され、該ゲート配線を覆って、陽極酸化工程を行わずに形成されたゲート絶縁膜が設けられているTFT基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 K

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-271320
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-065857 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-214357 出願人：株式会社東芝

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