研磨組成物及びそれを用いたエッジポリッシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田中宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-125071
公開番号（公開出願番号）：特開平11-315273
出願日： 1998年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】シリコンウェーハや化合物ウェーハ等よりなる半導体基板の表面を酸化膜/窒化膜等で被覆したエッジ部分を研磨加工する研磨用組成物、その調整方法、およびその組成物を用いたエッジポリッシング加工方法を提供。【解決手段】平均一次粒子径8〜500nmの酸化珪素粒子1〜15重量%と、酸化物、窒化物又は炭化物からなる金属化合物の平均一次粒子径10〜3000nmの微粒子一種以上0.1〜10重量%を含み、pH8.3〜11.5のコロイド溶液である研磨用組成物、および該コロイド溶液が25°C酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.5の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基又は弱酸と弱塩基の組み合せを添加してpH8.3〜11.5で作用する緩衝溶液として調整された研磨用組成物、好ましくは25°C導電率が酸化珪素1重量%あたり25mS/m以上の研磨用組成物。

請求項（抜粋）：

平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子と、金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる群から選ばれた金属化合物の微粒子で平均一次粒子径が10〜3000nmのもののうち少なくとも一種を含む分散液であって、酸化珪素粒子の濃度が1〜15重量%、上記金属化合物の微粒子の濃度が0.1〜10重量%であり、かつ該分散液のpHが8.3〜11.5であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (4件)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , B24B 9/00 601 , H01L 21/304 622

FI (4件)：

C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 E , B24B 9/00 601 H , H01L 21/304 622 D

引用特許：

審査官引用 (8件)

特表平7-502778
研磨剤組成物及びそれを用いる研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204478 出願人：キヤノン株式会社
研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-044316 出願人：株式会社東芝

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