特許
J-GLOBAL ID：200903093782888912

高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法

発明者：
高橋 誠一郎

高橋 誠一郎 について

, 
池田 真

池田 真 について

, 
渡辺 弘

渡辺 弘 について


出願人/特許権者：
三井金属鉱業株式会社

三井金属鉱業株式会社 について


代理人 (1件)： 栗原 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179441
公開番号（公開出願番号）：特開2003-105532
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】 抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。
請求項（抜粋）：
抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有することを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/495 ,  H01B 13/00 503
FI (3件)：
C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C04B 35/00 J
Fターム (40件)：
4G030AA06 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA13 ,  4G030AA14 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA18 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA23 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030AA41 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030GA04 ,  4G030GA20 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA45 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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