特許
J-GLOBAL ID：200903093803360220
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271797
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219517
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】 シート抵抗が低く、高速動作が可能であり、集積度を高めることができ、信頼性が高く、製造工程もあまり増加しない半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、ゲート電極15、ソース・ドレイン領域22及びチャネル領域23を有するトランジスタ素子と、トランジスタ素子上に形成されている第1の層間絶縁層18、19と、第1の層間絶縁層18、19上に形成されている第2の層間絶縁層30と、第2の層間絶縁層30上に形成されている配線33と、ソース・ドレイン領域22上の第1の層間絶縁層18、19に設けられている第1の開口部20内に導電材料が埋め込まれて成る導電材料充填層26と、第2の層間絶縁層30に設けられている第2の開口部32内に形成されているコンタクトプラグ32と具備している。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されているソース・ドレイン領域及びチャネル領域とゲート電極とを有するトランジスタ素子と、前記トランジスタ素子上に形成されている第1の層間絶縁層と、前記第1の層間絶縁層上に形成されている第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層上に形成されている配線と、前記ソース・ドレイン領域上の前記第1の層間絶縁層に設けられている第1の開口部内に導電材料が埋め込まれて成る導電材料充填層と、前記第2の層間絶縁層に設けられている第2の開口部内に形成されており前記導電材料充填層と前記配線とを接続しているコンタクトプラグとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 21/768
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/90 D
, H01L 27/10 681 B
