特許
J-GLOBAL ID：200903093840954734
III族窒化物デバイスのための窒化ガリウムインジウム平滑構造
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-088176
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314129
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 デバイス層の表面特性を向上するために、III族窒化物発光デバイスの基板と活性領域の間に、インジウムを含む平滑構造を形成する。【解決手段】 いくつかの実施形態において、平滑構造は、典型的にはインジウムを含有しないスペーサ層によって活性領域から分離された単一の層である。平滑層は、活性領域より低いインジウム組成を含み、典型的には、活性領域より高い温度で沈積される。スペーサ層は、典型的には、反応器内の温度を平滑層沈積温度から活性領域沈積温度へ低下させる間に沈積される。他の実施形態においては、表面特性を向上させるために、勾配がつけられた平滑領域が用いられる。平滑領域は、勾配がつけられた組成、勾配がつけられたドープ剤濃度、及びその両方を有することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に重なるn型領域と、前記n型領域の上に重なる活性領域と、少なくとも200オングストロームの厚さであり、前記基板と前記活性領域との間に配置される、インジウムを含む平滑層と、前記平滑層と前記活性領域との間に配置されるスペーサ層と、を備え、前記平滑層が、前記スペーサ層より高いドープ剤濃度を含み、前記平滑層の表面が、前記活性領域の表面から1ミクロンの半分未満の位置に配置されることを特徴とするIII族窒化物発光デバイス。
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA58
, 5F041CB36
, 5F041FF06
