特許
J-GLOBAL ID：200903093864599560

半導体レーザおよび光送信器モジュール

発明者：
向久保 優

向久保 優 について

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スィング ハルプリート

スィング ハルプリート について

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笹田 紀子

笹田 紀子 について


出願人/特許権者：
日本オプネクスト株式会社

日本オプネクスト株式会社 について


代理人 (2件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-015131
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203100
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：
【課題】 分布帰還型半導体レーザ素子において、発振波長は実効屈折率と回折格子周期で決定されるブラッグ波長であり、温度特性は0.1nm/K程度である。これに対し、量子井戸活性層によって決定される利得波長の温度特性は、約0.4nm/Kである。このレーザ素子を、広温度範囲に適用した場合、ブラッグ波長と利得波長各々の温度特性の差異により、ブラッグ波長ピークが利得波長ピークから外れてしまい、利得は低下して、発振閾値電流増加、光変換効率低下となる。【解決手段】 活性層領域に井戸幅が等しく、Egの差が18meV以下で3層以上の量子井戸層を形成する。各量子井戸では、禁制帯幅が異なり、利得スペクトラム1は、広い波長範囲で利得を有する。これは、ブラッグ波長2に対し、広温度範囲における利得の均一性を実現する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板上に、第1の導電型の光クラッド層と、第1の導電型のInGaAlAs光ガイド層と、InGaAlAs量子井戸活性層と、第2の導電型のInGaAlAs光ガイド層と、第2の導電型の光クラッド層と、回折格子層と、コンタクト層とを積層形成された半導体レーザであって、 前記InGaAlAs量子井戸活性層に、少なくとも3層の禁制帯幅換算値がそれぞれ異なる量子井戸を設け、前記量子井戸の禁制帯幅換算値の差が所定値となるように前記量子井戸の井戸幅または禁制帯幅を調整されたことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S 5/343
FI (1件)：
H01S5/343
Fターム (12件)：
5F173AB03 ,  5F173AB13 ,  5F173AF06 ,  5F173AG05 ,  5F173AH03 ,  5F173AL03 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP82 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR03 ,  5F173AR75
引用特許：
審査官引用 (10件)
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