特許
J-GLOBAL ID：200903093876946010
フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-144767
公開番号（公開出願番号）：特開2006-323032
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】輝点欠陥画素、滅点欠陥画素のリペア加工とそのリペア加工の成否の確認が1台の装置で行うことができるフラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置及びその欠陥画素リペア方法を得る。【解決手段】点灯用駆動回路17と、順バイアスに電圧が印加されたパネルFの画像表示面から欠陥画素を検出する欠陥画素検出用カメラ10と、逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路18と、その状態のパネルFの滅点欠陥画素Ffから出射する微弱光の赤外線を2次元座標で特定するための微弱光画素検出用カメラ20と、微弱光のエネルギ強度を予め登録されている良品のパネルの基準値と比較してリーク箇所36であるか否かを判別する画素処理ユニット11と、パネルFを載置して、全画素領域の検出と欠陥画素位置へ移動させられる可動ステージ19と、欠陥画素に対してレーザ光を照射するためのリペア用レーザ光源15とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被加工フラットパネルディスプレイディバイスに順バイアス方向に電圧を印加して該被加工フラットパネルディスプレイディバイスを点灯する点灯用駆動回路と、
前記被加工フラットパネルディスプレイディバイスに逆バイアス方向に電圧を印加する逆バイアス回路と、
前記順バイアス方向に電圧が印加された前記被加工フラットパネルディスプレイディバイスの画像表示面の欠陥画素を検出する欠陥画素検出用カメラと、
前記逆バイアス方向に電圧が印加された前記被加工フラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素から出射される微弱光を、該欠陥画素の2次元座標で特定するための微弱光画素検出用カメラと、
前記欠陥画素検出用カメラで検出された各画素の輝度のエネルギ強度を予め登録されている良品のフラットパネルディスプレイディバイスの基準値の輝度と比較して、高輝度であれば輝点欠陥画素として、また、低輝度であればリーク箇所のある滅点欠陥画素として判別し、該輝点欠陥画素及び該滅点欠陥画素を前記画像表示面の2次元座標で特定して記憶する機能を備えた画素処理ユニットと、
前記輝点欠陥画素に対しては、そのカソード電極の全領域に、前記滅点欠陥画素に対しては、そのカソード電極のリーク箇所範囲にレーザ光を照射して、前記カソード電極の全部または一部分を除去するリペア用レーザ光源と、
前記被加工フラットパネルディスプレイディバイスを載置、固定する可動ステージと、
該可動ステージと前記リペア用レーザ光源からのレーザ光の照射位置とを前記画素処理ユニットに記憶させてある2次元座標情報に基づいて前記被加工フラットパネルディスプレイディバイスの全画素領域で検出された前記輝点欠陥画素と前記滅点欠陥画素の領域へ相対的に移動させる移動制御手段と
を備えて構成されていることを特徴とするフラットパネルディスプレイディバイスの欠陥画素リペア装置。
IPC (4件)：
G09F 9/00
, H05B 33/10
, H05B 33/12
, H01L 51/50
G09F9/00 352
, H05B33/10
, H05B33/12 Z
, H05B33/14 A
3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5G435AA19
, 5G435BB05
, 5G435DD10
, 5G435KK10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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