特許
J-GLOBAL ID:200903093910482800
ウエーハの加工方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-319825
公開番号(公開出願番号):特開2005-086161
出願日: 2003年09月11日
公開日(公表日): 2005年03月31日
要約:
【課題】 生産性が高く、光デバイスの輝度を低下させることなく分割することができるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】 表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に光デバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射して該ウエーハの裏面から所定厚さの変質層を形成するレーザー光線照射行程と、表面に保護シートが貼着されたウエーハを変質層に沿って分割する分割行程と、変質層に沿って分割されたウエーハの裏面を保護シートが貼着された状態で研削し変質層を除去する研削行程とを含む。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域に光デバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの裏面から所定厚さの変質層を形成するレーザー光線照射行程と、
該変質層が形成された該ウエーハの表面に保護シートを貼着する保護シート貼着行程と、
表面に該保護シートが貼着された該ウエーハを変質層に沿って分割する分割行程と、
該変質層に沿って分割された該ウエーハの裏面を該保護シートが貼着された状態で研削し該変質層を除去する研削行程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
IPC (2件):
FI (4件):
H01L21/78 B
, B23K26/00 320E
, H01L21/78 V
, H01L21/78 Q
Fターム (3件):
4E068AA03
, 4E068AE00
, 4E068DA10
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
シリコンウエハ切断装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-269927
出願人:三菱電機株式会社
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レーザ加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-277163
出願人:浜松ホトニクス株式会社
審査官引用 (3件)
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