特許
J-GLOBAL ID：200903094177661325

選択的フォトレジストストリッピングおよびプラズマ灰化残渣洗浄のための、アンモニア不含フッ化物塩含有マイクロエレクトロニクス洗浄組成物

発明者：
チェン-ピン・シャーマン・シュ

チェン-ピン・シャーマン・シュ について


出願人/特許権者：
マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド

マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 青山 葆 ,  岩崎 光隆 ,  中嶋 正二 ,  小島 一晃
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-512358
公開番号（公開出願番号）：特表2005-500408
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
マイクロエレクトロニクス基板からフォトレジストおよびプラズマ灰化残渣を洗浄するためのアンモニア不含、HF不含洗浄組成物、特に高感度多孔性および低κないし高κの誘電体並びに銅金属被覆を特徴とするマイクロエレクトロニクス基板に有用であり、それらとの適合性が改善されたような洗浄組成物。洗浄組成物は、1種またはそれ以上の非アンモニウム産生、非HF産生フッ化物塩(非アンモニウム、4級アンモニウムフッ化物塩)を、適する溶媒マトリックス中に含有する。
請求項（抜粋）：
多孔性誘電体、低κまたは高κの誘電体、および銅金属被覆の少なくとも1つを有するマイクロエレクトロニクス基板を洗浄するための洗浄組成物であって: 重量で約0.05ないし20%の、1種またはそれ以上の非アンモニウム産生、非HF産生フッ化物塩; 重量で約5ないし約99.95%の、水、有機共溶媒または水と有機共溶媒の両方; 重量で約0ないし約80%の金属腐食阻害溶媒; 重量で約0ないし40%の立体障害アミンまたはアルカノールアミン; 重量で約0ないし40%の有機または無機酸; 重量で約0ないし40%の他の金属腐食阻害剤化合物; 重量で約0ないし5%の界面活性剤; 重量で約0ないし10%の金属イオン不含珪酸塩化合物;および 重量で約0ないし5%の金属キレート剤; を含む、洗浄組成物。
IPC (5件)：
C11D3/24 ,  C11D3/26 ,  C11D3/43 ,  C23G5/036 ,  H01L21/304
FI (7件)：
C11D3/24 ,  C11D3/26 ,  C11D3/43 ,  C23G5/036 ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/304 647Z
Fターム (29件)：
4H003DA15 ,  4H003DB01 ,  4H003EB14 ,  4H003EB17 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003ED02 ,  4H003ED32 ,  4H003FA07 ,  4H003FA15 ,  4K053PA06 ,  4K053PA17 ,  4K053QA06 ,  4K053RA07 ,  4K053RA08 ,  4K053RA14 ,  4K053RA27 ,  4K053RA36 ,  4K053RA40 ,  4K053RA45 ,  4K053RA51 ,  4K053RA52 ,  4K053RA54 ,  4K053RA59 ,  4K053RA62 ,  4K053RA63 ,  4K053RA64 ,  4K053YA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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