多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-227216
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217551
出願日： 2001年07月27日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】ビアホール形成用の孔開口端に発生するドロスの除去を物理研磨や化学研磨等の専用工程を用いることなくレーザードリル加工で行う多層配線基板及びその製造方法、並びにレーザードリル装置を提供する。【解決手段】樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板の製造方法において、多層配線基板の配線層側からビヤホール形成のための孔部をレーザードリル加工を用いて形成後に、前記レーザードリルを用いて孔部開口端に発生するドロスを除去する。なお、レーザードリルが355nm以下の単一波長を用いた紫外線レーザードリルであること、孔部を形成する際のレーザー加工直径よりも、孔部開口端に発生するドロス除去をする際に孔部加工径より0.1〜100μm大きいレーザー加工径を用いることも含まれる。

請求項（抜粋）：

樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる配線層とが交互に積層されてなる多層配線基板の製造方法において、多層配線基板の配線層側からビヤホール形成のための孔部をレーザードリル加工を用いて形成後に、前記レーザードリルを用いて孔部開口端に発生するドロスを除去することを特徴とする多層配線基板の製造方法。

IPC (4件)：

H05K 3/46 , B23K 26/00 , H05K 3/00 , H05K 3/26

FI (5件)：

H05K 3/46 X , H05K 3/46 N , B23K 26/00 H , H05K 3/00 N , H05K 3/26 B

Fターム (24件)：

4E068AA05 , 4E068AF00 , 4E068CG00 , 4E068DA11 , 5E343AA07 , 5E343AA18 , 5E343BB24 , 5E343BB67 , 5E343DD43 , 5E343EE01 , 5E343EE12 , 5E343EE32 , 5E343EE33 , 5E343EE43 , 5E343GG11 , 5E346AA42 , 5E346AA43 , 5E346CC10 , 5E346CC32 , 5E346DD12 , 5E346FF03 , 5E346FF14 , 5E346GG15 , 5E346HH32

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜多層回路基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-079811 出願人：富士通株式会社
ビアホール形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-148215 出願人：日本電気株式会社
レ-ザ加工装置および加工方法と被加工物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-368899 出願人：松下電器産業株式会社

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