特許
J-GLOBAL ID：200903004729200809
ビアホール形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-148215
公開番号（公開出願番号）：特開平10-341069
出願日： 1997年06月05日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：
【要約】【課題】 製造コストの低廉化を図るとともに、ビアホール周辺部の損傷発生を防止し、かつ高精度のビアホールを得る。【解決手段】 銅層23にポリイミド層22を積層してなるフィルム基板21に対し、パルスレーザ光を照射することによりビアホール26を形成する方法において、フィルム基板21に第一パルスレーザ光a1を照射することによりポリイミド層22の両層面に開口するビアホール形成用の貫通孔22aを形成する工程と、この貫通孔22a内に第二パルスレーザ光b1を照射することにより分解物24および残留膜25を除去する工程とを含ませた構成としてある。
請求項（抜粋）：
導電層に有機物質を含有する絶縁層を積層してなるフィルム基板に対し、パルスレーザ光を照射することによりビアホールを形成する方法において、前記フィルム基板に第一パルスレーザ光を照射することにより前記絶縁層の両層面に開口するビアホール形成用の貫通孔を形成する工程と、この貫通孔内に第二パルスレーザ光を照射することにより熱変成物を除去する工程とを含ませたことを特徴とするビアホール形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/00
, B23K 26/00 330
H05K 3/00 K
, H05K 3/00 N
, B23K 26/00 330
