半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336373
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202336
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、相対雑音強度の低い半導体レーザを容易に歩留まりよく提供する。【構成】半導体レーザのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の一部が台形状のストライプである。電流狭窄層がn-Al0.5Ga0.5As層とn-GaAs電流狭窄層の2層から成っている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成され、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注入するための電流狭窄層とを有する積層構造とを備えた半導体レーザであって、該電流狭窄層は、該活性層の該所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第1の電流狭窄層を備えており、該電流狭窄層は、該活性層の禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有し、かつ該活性層よりも小さな屈折率を有していることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193875 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-245079 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-170067 出願人：株式会社東芝

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