特許
J-GLOBAL ID：200903094354673282

半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
塩本 武弘

塩本 武弘 について

, 
野崎 顕三

野崎 顕三 について

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▲吉▼田 智彦

▲吉▼田 智彦 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-307462
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118320
出願日： 2000年10月06日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 製造が容易で戻り光の反射を問題ないレベルにまで低下した半導体レーザ装置、光ピックアップおよび半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体レーザチップ1を搭載したステム3を有する半導体レーザ装置であって、ステム3は、半導体レーザチップ搭載面3aと、レーザ光被照射物側に面する、搭載面に交差する交差面3bとを有し、交差面に向かうレーザ光のうち当該交差面で反射してレーザ光被照射物6の側に向かう光量を減らすように、当該交差面に、レーザ光に対する反射率を当該交差面の反射率よりも低下させる反射率低減材料7が塗布されている。
請求項（抜粋）：
半導体レーザチップを搭載したステムを有する半導体レーザ装置であって、前記ステムは、前記半導体レーザチップを搭載する搭載面と、該半導体レーザチップからレーザ光が出射される側であるレーザ光被照射物側に面する、前記搭載面に交差する交差面とを有し、前記交差面には、当該交差面に向かう前記レーザ光のうち当該交差面で反射して前記レーザ光被照射物側に向かう光量が減るように、前記レーザ光に対する反射率を当該交差面の反射率よりも低下させる反射率低減材料が塗布されている、半導体レーザ装置。
IPC (5件)：
H01S 5/022 ,  G11B 7/09 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135 ,  G11B 7/22
FI (5件)：
H01S 5/022 ,  G11B 7/09 C ,  G11B 7/125 Z ,  G11B 7/135 Z ,  G11B 7/22
Fターム (31件)：
5D118AA18 ,  5D118BA01 ,  5D118BB02 ,  5D118BF02 ,  5D118BF03 ,  5D118CD03 ,  5D118CF16 ,  5D118CG04 ,  5D118CG24 ,  5D119AA20 ,  5D119BA01 ,  5D119DA01 ,  5D119DA05 ,  5D119EA02 ,  5D119EA03 ,  5D119FA05 ,  5D119FA32 ,  5D119FA35 ,  5D119JA22 ,  5D119KA02 ,  5D119NA04 ,  5F073AB27 ,  5F073BA04 ,  5F073EA15 ,  5F073EA26 ,  5F073FA05 ,  5F073FA06 ,  5F073FA11 ,  5F073FA15 ,  5F073FA17 ,  5F073FA22
引用特許：
審査官引用 (13件)
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