特許
J-GLOBAL ID：200903094386293929
浅い分離溝を平坦化する方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-298494
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181053
出願日： 1996年11月11日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 3つの処理工程よりなる平坦化主工程により、TEOS SiO2 充填の浅い分離溝を平坦化する方法を提供する。【解決手段】 出発構造10は、パターニングされたSi3 N4 パシベーション層12によって被覆されたシリコン基板11である。層12は、TEOS SiO2 のコンフォーマル層22に対して浅い溝を画成する。平坦化媒質、典型的には積層されたホトレジスト層を構造上に形成し、ほぼ平坦な面を与える。この平坦面は、TEOS SiO2 層22における非選択性の2工程プラズマ・エッチングによって、転写される。構造上にホトレジスト材料が残れば、除去する。最後に、TEOS SiO2 /Si3 N4 選択性RIEエッチング工程を行う。このエッチング工程は、Si3 N4 層上で停止する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板内に形成され、上部に形成されたTEOS SiO2 のコンフォーマル層で充填された浅い溝を画成するパターニングされたSi3 N4 パシベーション層によって被覆されたシリコン基板よりなる半導体構造内に形成された、TEOS SiO2 充填の浅い分離溝を平坦化する方法であって、a)構造上に平坦化媒質を形成して、ほぼ平坦な面を与えるステップと、b)前記ほぼ平坦な面を、低い選択性を有するかまたは選択性はない(約1/1)が、高い均一性(約3%より小さい)を有するドライ・エッチングによって、前記TEOS SiO2 層へ転写するステップと、c)Si3 N4 よりも少なくとも8倍速くTEOS SiO2 をエッチングするTEOS SiO2 /Si3 N4 高選択性の化学物質で前記構造をドライ・エッチングし、前記Si3 N4 パシベーション層の上面に達すると、エッチングを停止するステップと、を含む方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/76
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/302 L
, H01L 21/76 L
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 681 D
