特許
J-GLOBAL ID：200903094571278707

ショットキーダイオード、電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
谷保 芳孝

谷保 芳孝 について

, 
嘉数 誠

嘉数 誠 について

, 
牧本 俊樹

牧本 俊樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-093163
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278570
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 高耐圧で、高い動作電圧を有するショットキーダイオードや電界効果トランジスタを作製する。【解決手段】 半絶縁性基板31上に積層されたアンドープAlN層32と、アンドープAlN層32上に積層されたSiドープn型AlN層33と、Siドープn型AlN層33上に、高濃度Siドープn型AlN層34を介して形成されたオーミック電極36と、Siドープn型AlN層33上に形成されたショットキー電極35とを備え、Siドープn型AlN層33のSi濃度は、5×1016cm-3〜5×1018cm-3であり、高濃度Siドープn型AlN層34のSi濃度は、5×1019cm-3以上である。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に積層されたアンドープAlN層と、 該アンドープAlN層上に積層されたSiドープn型AlN層と、 該Siドープn型AlN層上に、高濃度Siドープn型AlN層を介して形成されたオーミック電極と、 前記Siドープn型AlN層上に形成されたショットキー電極とを備え、 前記Siドープn型AlN層のSi濃度は、5×1016cm-3〜5×1018cm-3であり、前記高濃度Siドープn型AlN層のSi濃度は、5×1019cm-3以上であることを特徴とするショットキーダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338
FI (6件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 P ,  H01L29/48 D ,  H01L29/50 J ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/80 B
Fターム (35件)：
4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC19
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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