特許
J-GLOBAL ID：200903064518735466

半導体材料およびそれを用いた半導体装置

発明者：
嘉数 誠

嘉数 誠 について

, 
谷保 芳孝

谷保 芳孝 について

, 
小林 直樹

小林 直樹 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-077630
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273398
出願日： 2002年03月20日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 高い結晶品質を有し、充分な移動度を持つ導電性窒化アルミニウム等の半導体材料およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の基板1または半導体層に結晶成長されたAlNを半導体とする半導体材料であって、Al原料、N原料、およびSiドーパントを同時に供給し、かつ、Si原子濃度が3×1017cm-3以上、5×1019cm-3以下の範囲内で、Siをドーピングして、前記AlNの半導体層2を形成した。
請求項（抜粋）：
半導体装置の基板または半導体層に結晶成長されたAlNを半導体とする半導体材料であって、Al原料、N原料、およびSiドーパントを同時に供給し、かつ、Si原子濃度が3×1017cm-3以上、5×1019cm-3以下の範囲内で、Siをドーピングして、前記AlNを形成したことを特徴とする半導体材料。
IPC (8件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323 610
FI (6件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/66 E ,  H01S 5/323 610 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 29/72 H
Fターム (28件)：
5F003AZ01 ,  5F003BB01 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F041AA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA48 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA11 ,  5F073EA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK04 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT02
引用特許：
審査官引用 (7件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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