特許
J-GLOBAL ID：200903094583483047

高エネルギー線検出器及び装置

発明者：
岡本 浩二

岡本 浩二 について

, 
藤井 義磨郎

藤井 義磨郎 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-119742
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311146
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】 検出器間の不感領域が小さな高エネルギー線検出器及び高エネルギー線検出装置を提供する。【解決手段】 この検出器PD1は、高エネルギー線の入射に応答してキャリアを発生する半導体基板1sを備え、半導体基板1sの一方面(第1表面とする)側にキャリアを収集するためのアノード電極1a及びカソード電極1cを配置し、これらの電極1a,1cの一方を半導体基板1sを貫通する導電体CDTを介して半導体基板1sの他方面(第2表面とする)側に接続してなる。半導体基板1sは高エネルギー線の入射に応答してキャリア(電子・正孔)を発生するが、アノード電極1a及びカソード電極1cは共に半導体基板の一方面側に設けられているので、バンプを介して同一面側に位置する配線パターンに接続することが出来る。これを二次元状に配置した場合には検出器間の不感領域を小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
高エネルギー線の入射に応答してキャリアを発生する半導体基板を備える高エネルギー線検出器において、前記半導体基板の一方面側に前記キャリアを収集するためのアノード及びカソード電極を配置し、これらの電極の一方を前記半導体基板を貫通する導電体を介して前記半導体基板の他方面側に接続してなる高エネルギー線検出器。
IPC (2件)：
G01T 1/24 ,  H01L 27/14
FI (2件)：
G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K
Fターム (15件)：
2G088EE30 ,  2G088FF04 ,  2G088FF05 ,  2G088FF06 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  4M118AA01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CB11 ,  4M118HA31
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM