特許
J-GLOBAL ID：200903094796061189
半導体ダイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-047321
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252176
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】レーザビームの照射による新たなマーキング技術の開発に伴う微細なドットマークの付与の可能性を追求すると共に、必要とする個別情報の全てを書き込んだ半導体ダイを提供する。【解決手段】半導体基板の表面に個別識別情報や加工履歴情報などの各種の情報が書き込まれる領域を有する半導体ダイであって、前記領域が104 μm2 以下の面積であって、各ドットマークの最大幅が平面視で1〜6μmであるような微小なドットマークからなり、同ドットマークの形態がレーザ照射により刻印される凹部及び凸部を有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に個別識別情報や加工履歴情報などの各種の情報が書き込まれる領域を有する半導体ダイであって、前記各種の情報が前記領域内に形成される凹部及び凸部からなるドットマークにより構成されてなることを特徴とする半導体ダイ。
IPC (4件)：
H01L 21/02
, B23K 26/00
, H01L 23/00
, B23K101:40
H01L 21/02 A
, B23K 26/00 B
, B23K 26/00 H
, H01L 23/00 A
