半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：北野好人 , 三村治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005395
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221226
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】金属や金属シリサイドに置換した配線層を有する半導体装置の製造方法に関し、ゲート電極形成過程及びその後の熱処理工程において、N型トランジスタのゲート電極とP型トランジスタのゲート電極との間における構成材料の相互拡散を効果的に防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ダミー電極22n及びダミー電極22pを形成する工程と、ダミー電極22p上に金属膜32を選択的に形成する工程と、第1の温度の温度で熱処理を行い、前記ダミー電極22pを構成する被置換材料が金属膜32の構成材料を含む材料に置換してなる電極34bを形成する工程と、ダミー電極22n上に金属膜を形成する工程と、第1の温度よりも低く電極34bと金属膜との間で構成材料の相互拡散が生じない第2の温度で熱処理を行い、ダミー電極22nを構成する被置換材料が金属膜の構成材料を含む材料に置換してなる電極を形成する工程とを有する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、金属を含む材料による置換が可能な被置換材料よりなる第1のダミー電極及び第2のダミー電極を形成する工程と、前記第1のダミー電極上に、第1の金属材料よりなる第1の金属膜を選択的に形成する工程と、第1の温度において熱処理を行うことにより、前記第1のダミー電極を構成する前記被置換材料が前記第1の金属材料又は前記第1の金属材料の化合物に置換してなる第1の電極を形成する工程と、前記第2のダミー電極上に、第2の金属材料よりなる第2の金属膜を形成する工程と、前記第1の温度よりも低く前記第1の電極と前記第2の金属膜との間で構成材料の相互拡散が生じない第2の温度において熱処理を行うことにより、前記第2のダミー電極を構成する前記被置換材料が前記第2の金属材料又は前記第2の金属材料の化合物に置換してなる第2の電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (3件)：

H01L27/08 321D , H01L21/28 301S , H01L29/58 G

Fターム (60件)：

4M104AA01 , 4M104BB00 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB24 , 4M104BB25 , 4M104BB26 , 4M104BB27 , 4M104BB28 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD06 , 4M104DD75 , 4M104DD77 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104DD88 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH16 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB04 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA27

引用特許：

審査官引用 (6件)

置換ゲート構造を有するトランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-368146 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-259648 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-065346 出願人：株式会社東芝

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